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理工学基盤部門の後藤民浩准教授が共著者として関わった論文が、イギリスの科学誌「Nature Communications」に掲載されました（9月15日）。
【掲載誌】
Nature Communications 11, 4636 (2020)
【タイトル】
Ultrahigh drive current and large selectivity in GeS selector（GeSセレクタの超高駆動電流と大きな選択性）
【著者】
Shujing Jia, Huanglong Li, Tamihiro Gotoh, Christophe Longeaud, Bin Zhang, Juan Lyu, Shilong Lv, Min Zhu, Zhitang Song, Qi Liu, John Robertson & Ming Liu
【概要】
セレクタは、大規模不揮発性メモリやニューロモーフィックアレイシステムに不可欠な半導体素子です。従来のシリコントランジスタに比べ、はるかに高いスケーラビリティを持つ２端子オボニック閾値スイッチ(OTS)は、現在、最も実用化が望まれているセレクタ技術です。しかし、現在のOTSは、材料の化学量論の複雑な制御に大きく依存しており、一般的に有毒で複雑なドープ元素の問題に悩まされています。そこで、環境に優しく、資源として豊富な硫化物二元系半導体GeSを用い、34 MAcm-2という大きな駆動電流密度と高いON/OFF電流～106を持つセレクタを開発しました。さらに、実験と第一原理計算により、アモルファスGeS中のGeピラミッドが支配的なネットワークと価電子帯近傍の高密度トラップ状態を明らかにしました。高いON/OFF電流は、中間ギャップトラップによる電子遷移と局所的なGe-Ge鎖の成長の相乗効果、および高電界下での局所的な結合配向の強化によるものであると考えられます。
◆論文はこちらからご覧いただけます。
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◆後藤准教授の研究紹介はこちらからご覧いただけます。
⇒後藤民浩准教授の研究紹介へ
