新しい化合物半導体の電子物性を探求する

半導体結晶を極低温にする装置と光学系

酸化亜鉛ナノワイヤーの電子顕微鏡写真

 現代の高度情報化時代は、数多くの半導体電子デバイスによって成り立っています。私たちの研究室では、半導体の基礎電子物性、特に光学的物性を調べる研究を行っています。
1.新規多元化合物半導体に関する研究
 現在、太陽電池の材料としてはシリコンが広く使用されていますが、シリコンは光吸収係数が小さいために、太陽光を効率よく吸収することができません。この問題を解決するために、シリコン半導体よりも効率よく太陽光を吸収することができる新しい半導体を探求しています。特に元素の種類が3つ以上の新規多元化合物の半導体を作製し、その基礎的な光学物性を調べています。
2.ガス輸送気相成長法を使用した半導体ナノ結晶の育成
 結晶の自己組織化を利用した、ガス輸送気相成長法による半導体ナノ結晶の育成を行っています。ガス輸送気相成長法は、大変簡便に半導体ナノ結晶を得ることができるため、近年特に注目を集めています。また、微小な半導体ナノ結晶においては発光効率を上げることができるため、次世代のオプトエレクトロニクス素子の基礎要素として期待されています。


  • S. Ozaki and Y. Horikoshi: Photoreflectance spectroscopy of the chalcopyrite semiconductor AgInS2 for ordinary and extraordinary rays, Appl. Phys. A: Materials Science & Processing 122, 628 (2016).
  • S. Ozaki, K. Hoshina, and Y. Usami: Optical properties and electronic energy-band structure of Cu2ZnSnS4, Physica Status Solidi C 12, 717 (2015).
  • S. Ozaki and K. Morozumi: Growth of large quantity ZnO nanowires and their optical properties, Key Engineering Materials 596, 121 (2014).

電子情報理工学科

准教授 尾崎 俊二
研究室URL : http://www.el.gunma-u.ac.jp/~ozakilab/